2024 기업만사 - 삼성전자 최신소식
삼성전자가 업계 최초로 ‘1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드’ 양산을 시작하며 낸드플래시 시장에서의 리더십을 공고히 했다.
TLC(Triple Level Cell)란?
: 하나의 셀에 3bit 데이터를 기록할 수 있는 구조 / QLC에 비해 안정성(내구성)이 좋아, 주로 USB 메모리, SD카드로 사용된다. TLC가 시장의 주력으로 판매되고 있다. TLC는 MLC나 SLC에 비해 수명, 속도, 안정성 면에서 모두 떨어지지만 그나마 가격이 저렴하다는 장점이 있다. 일반적으로 가장 많이 사용된다.
삼성전자 대표 TLC SD카드 : 🧲삼성전자 micro SD EVO Plus
QLC(Quad Level Cell)
: 하나의 셀에 4bit 데이터를 기록할 수 있는 구조 / 대용량, 저렴한 가격이 장점(주로 HDD대체한 SSD로 사용)이며, 짧은 수명, 느린 쓰기 속도가 단점이다. 삼성의 대표 QLC 제품에는 QVO시리즈가 있다. QLC SSD는 TLC SSD보다 용량당 스토리지 비용이 낮으므로 NAS 사용 시 읽기 작업이 더 많을 경우에 좋은 선택이다. (쓰기 수명이 짧다)
*MLC는 블랙박스용 메모리 카드에 주로 쓰인다. TLC 방식보다 상대적으로 수명이 길고 읽기/쓰기 속도가 쾌적하다. 대표적으로 삼성 SD카드 PRO 시리즈가 있다.
삼성전자 대표 MLC SD카드 : 🧲삼성전자 micro SD Pro Endurance
삼성전자는 ▲업계 최소 크기 셀(Cell) ▲최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 ‘1Tb TLC 9세대 V낸드’의 비트 밀도(Bit Density)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다.
삼성전자의 ‘9세대 V낸드’는 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로, ‘채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)’ 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 이뤄 생산성 또한 향상됐다.
‘채널 홀 에칭’이란 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술이다.
특히, 적층 단수가 높아져 한번에 많이 뚫을수록 생산효율 또한 증가하기 때문에 정교화∙고도화가 요구된다.
낸드 플래시 메모리 [NAND Flash Memory] 란?
반도체의 셀이 직렬로 배열되어 있는 플래시 메모리 의 한 종류다. 플래시 메모리는 반도체 칩 내부의 전자회로 형태에 따라 직렬로 연결된 낸드 플래시와 병렬로 연결된 노어 플래시로 구분된다. 낸드 플래시는 용량을 늘리기 쉽고 쓰기 속도가 빠른 반면 노어 플래시는 읽기 속도가 빠른 장점을 갖고 있다. 낸드 플래시는 저장단위인 셀을 수직으로 배열하는 구조이기 때문에 좁은 면적에 많은 셀을 만들 수 있어 대용량화가 가능하다. 또한 데이터를 순차적으로 찾아가 읽기 때문에 노어 플래시보다 읽기 속도는 느리지만, 별도로 셀의 주소를 기억할 필요가 없어 쓰기속도는 훨씬 빠르다. 이처럼 낸드 플래시는 소형화, 대용량화가 가능하기 때문에 다양한 모바일 기기 및 전자제품의 저장장치로 사용되고 있다.
🧲삼성전자 낸드플래시 사용 대표 가전제품들
‘9세대 V낸드’는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 ‘Toggle 5.1’이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했다.
삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대해 낸드플래시 기술 리더십을 공고히 할 계획이다.
PCIe(Peripheral Component Interconnect Express)
: 기존 SATA 전송 속도의 성능 한계를 극복한 고속 인터페이스 규격
PCIe 5.0
: 기존 PCIe 4.0 대비 대역폭이 2배로 커진 32GT/s를 지원하는 차세대 PCIe 통신규격
삼성전자 대표 PCIe 제품 : 🧲삼성전자 PCie M.2 NVMe
또 ‘9세대 V낸드’는 저전력 설계 기술을 탑재하여 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐다.
환경 경영을 강화하면서 에너지 비용 절감에 집중하는 고객들에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다.
삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 허성회 부사장은 “낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량∙고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다”며, “9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다.
삼성전자는 ‘TLC 9세대 V낸드’에 이어 올 하반기 ‘QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드’도 양산할 예정으로 AI시대에 요구되는 고용량∙고성능 낸드플래시 개발에 박차를 가할 계획이다.
#D램 #낸드플래시 #메모리반도체
2024@내구만사
자료출처 : 삼성전자
이 포스팅은 쿠팡 파트너스 활동의 일환으로, 이에 따른 일정액의 수수료를 제공받습니다.